CXMT

详细简报

长鑫存储技术有限公司（CXMT）于2016年在中国安徽省合肥市成立。作为中国更广泛推进本土存储器半导体产业建设努力的一部分，公司获得了合肥市政府及其他国家关联基金的大量投资。 DRAM制造是技术要求最高的半导体工艺之一：它需要对电容结构的严格管控、低于20nm半间距的字线图案化，以及极为均匀的薄膜沉积——所有这些都在无法获得EUV的情况下进行。长鑫存储专注于在19nm级节点生产LPDDR4X（用于移动设备）和DDR4（用于PC和服务器），比三星和SK海力士落后大约两到三代工艺。 长鑫存储的主要客户是国内中国智能手机OEM和一些购买DRAM用于最终组装的PC模组制造商。这一定位减少了中国在中低端消费电子领域对DRAM进口的依赖，但对于需要DDR5、LPDDR5和HBM的高性能计算、AI训练负载和数据中心应用，长鑫存储尚未生产具竞争力的产品。 与长江存储不同，截至2025年中，长鑫存储尚未被列入美国实体清单，但已引起美国政策制定者的关注，并受到最先进晶圆厂工具出口许可证要求的约束。包括信越化学在内的供应商的硅晶圆继续流向长鑫存储。公司的长期发展轨迹很大程度上取决于国内中国设备商能否供应缩小至15nm以下所需的先进图案化工具——达到这一门槛将使长鑫存储开始竞争主流服务器DRAM插槽。